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近红外半导体激光器1940nm0.5w

本产品关键部位采用AuSn硬焊料封装,AuSn焊料良好的焊接性能、浸润性、工作温度及较高的导热性能,保证了产品的一致性和可靠性。


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本产品关键部位采用AuSn硬焊料封装,AuSn焊料良好的焊接性能、浸润性、工作温度及较高的导热性能,保证了产品的一致性和可靠性。


一、 产品基本信息

1、 产品封装形式:COS封装形式;

2、 产品型号:M-1940-500m-B

 

二、 产品外观图

三、 产品尺寸图

       1、产品封装尺寸示意图(mm)

2、芯片基本尺寸:

基本尺寸

M-1940-500m-B

芯片尺寸(mm×mm

0.5*1.0

芯片厚度(μm

135±5

发光区条宽(μm

100

 

四、 产品主要特点

1、 本产品关键部位采用AuSn硬焊料封装,AuSn焊料良好的焊接性能、浸润性、工作温度及较高的导热性能,保证了产品的一致性和可靠性。

2、 本产品采用高热导率氮化铝陶瓷热沉封装,实现了激光器芯片与散热装置的电隔离,同时超高的导热性能,确保了整个产品封装后性能更稳定。

3、 该产品表面采用镀金设计,外观更漂亮。

五、 产品应用方向

     本产品可用于激光医疗、激光泵源、塑料材料加工、激光雷达以及气体检测等方面。

六、 产品性能参数

本产品参数数据是在下述条件下测得:将本品置于专用测试仪器的夹具上,使用温控仪控制测试仪器的夹具温度为15℃;环境湿度:40%-55%(无结露)。产品主要性能参数如下:

  

单位

M-1940-500m-B

最小值

典型值

最大值

光学参数

输出功率

W

­­

0.5

­­

激射波长1

nm

1920

1940

1960

光谱宽度

nm

­­

6

8

发光尺寸宽度

um

­­

100

­­

温漂系数

nm/

­­

0.3

­­

慢轴发散角

º

­­

28

35

快轴发散角

º

­­

44

50

电学参数

斜率效率

W/A

­­0.25

0.32


工作电流

A

­­

2.0

2.4

工作电压

V

­­

1.5

2.1

阈值电流

A

­­

0.25

0.4

其它参数

存储温度

-10

­25

60

工作温度2

10

20

50

 注: 表格当中的(1)中心波长可以提出特殊要求,默认波长范围需满足±20nm

            2)过高的温度会使芯片的寿命变短,波长变长,过低的温度会使芯片输出功率增加,波长变短。


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